产品价格 ￥1346.00 ~ 5396.00元
别名磷化铟(III)
CAS号22398-80-7
分子式InP
分子量145.79
MDL号MFCD00016153
别名： |
磷化铟(III) |
CAS号： |
22398-80-7 |
分子式： |
InP |
分子量： |
145.79 |
MDL号： |
MFCD00016153 |
Merk号： |
|
EC号： |
244-959-5 |
| 熔点 | 1070°C |
| 密度 | 4.7870 |
| RTECS | NL1800000 |
1. 性状：单晶呈银灰色，质地较软
2. 密度（g/mL,25/4℃）：未确定
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：1600
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC,5.2kPa）： 未确定
7. 折射率： 未确定
8. 闪点（ºC）： 未确定
9. 比旋光度（º）： 未确定
10. 自燃点或引燃温度（ºC）： 未确定
11. 蒸气压（kPa,25ºC）： 未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）： 未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 临界温度（ºC）： 未确定
15. 临界压力（KPa）： 未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值： 未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）： 未确定
19. 溶解性：极微溶于无机酸
对水是稍微危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:2
8.表面电荷:0
9.复杂度:10
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
1.如果遵照规格使用和储存则不会分解
避免接触氧化物，酸。极微溶于无机酸。介电常数：108。电子迁移率：约4600 cm2/V·s。空穴迁移率：约150 cm2/V·s。具有半导体的特性。
2.它有较高的极限速度，所以，ＩｎＰ高频器件的工作极限频率比ＧａＡｓ更高，电子扩散速率与电子迁移率之比小于ＧａＡｓ，故更利于制作低噪声器件。
保持贮藏器密封
放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。
2.取化学计量的铟和红磷封入石英管中，反应温度在700℃经350～400h，可制得InP,收率为94%～95%。
3.用铟和比化学计算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法，在700～800℃下加热1～2日则可制得磷化铟。本法收率低。产物用稀盐酸处理就可以得到纯的InP。
4.由卤素反应系统制取的方法。在高真空中，加热650℃以上，使InP升华。欲制得纯的InP，要使用过量的In。
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
危险运输编码：UN3288
安全标识：S24/25
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